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HIKSEMI

Unidad de estado sólido (SSD) 256 GB

pcie 3.0 / M.2 nvme / alto rendimiento / 2280 mb/s lectura / 1800 mb/s escritura

SKU HS-SSD-WAVE(P)/256G

UNIDAD DE ESTADO SÓLIDO (SSD) 256 GB / PCIE 3.0 / M.2 NVME / ALTO RENDIMIENTO / 2280 MB/S LECTURA / 1800 MB/S ESCRITURA

$1,012.51 MXN

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Descripción

Descripción General

El SSD de la serie WAVE(P) de HIKSEMI está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en dispositivos de computación personal y consolas de juegos. Con el uso de tecnología avanzada de control maestro SSD y tecnología 3D NAND Flash, asegura alta velocidad de lectura y escritura al mismo tiempo que garantiza la seguridad de los datos.

Características Principales
  • Interfaz PCIe de alta velocidad con velocidad máxima de lectura de hasta 2280 MB/s.
  • Tecnología 3D NAND para mayor capacidad, rendimiento y estabilidad.
  • Estructura sin componentes mecánicos, resistente a golpes y caídas, brindando mayor seguridad a los datos.
  • Adecuado para su uso en computadoras personales y portátiles.
  • Automatización en la producción y pruebas bajo estándares estrictos de HIKSEMI para garantizar un servicio estable.
Especificaciones
  • Capacidades: 256 GB
  • Formato: M.2 2280
  • Velocidad Máxima de Lectura Secuencial: 2280 MB/s
  • Velocidad Máxima de Escritura Secuencial: 1800 MB/s
  • Velocidad Aleatoria 4K Máxima de Lectura (IOPS): 90 K
  • Velocidad Aleatoria 4K Máxima de Escritura (IOPS): 320 K
  • Consumo Máximo de Energía: 1.6 W
  • TBW: 100 TB
  • MTBF: 1,500,000 horas
  • Medio de Almacenamiento: 3D NAND
  • Peso: ≤7g
Interfaces y Conectividad
  • Interfaz: PCIe
  • Soporte para TRIM: Sí
Aplicaciones y Casos de Uso

Este SSD se puede utilizar en computadoras personales, portátiles y consolas de juegos para mejorar el rendimiento del sistema, proporcionando servicios estables y de alta velocidad.

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WAVE (P)

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Fácil instalación Diseñados para una instalación sencilla, permitiéndole sumergirse en la rapidez y eficiencia de un torrente de datos como nunca antes.

Características técnicas

Característica
LECTURA SECUENCIAL DE 2280 MB/S VÍA PCIE 3.0 X4
Característica
ESCRITURA SECUENCIAL DE 1800 MB/S PARA CARGAS PESADAS
Característica
320K IOPS ALEATORIOS PARA MULTITAREA SIN INTERRUPCIONES
Característica
256 GB EN 3D NAND CON 100 TB DE ESCRITURA GARANTIZADA
Característica
FORMATO M.2 2280 DE SOLO 7 GRAMOS, SIN PARTES MÓVILES
Característica
CONSUMO DE 1.6 W CON SOPORTE TRIM INTEGRADO
$1,012.51 MXNPrecio unitario